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Affichage 21 articles: HFS113F001A1 à HIP4081AIBZ (Page 161 sur 485)

Circuit intégré HFS113F001A1
HFS113F001A1
32.76€ TTC
4 En stock
4 En stock

Circuit intégré HFS113F001A1. ASIC. SF5500. Boîtier: 5p. Constructeur: Murata Electronics. SF5500

 
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Transistor HGTG10N120BND
HGTG10N120BND
15.12€ TTC
47 En stock
47 En stock

N-IGBT 1200V 35A/80Ap 298W Vce(sat)2.45V. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Jelzés a tokon: 10N120BND. Implantation: perçage szerelt. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: TO247. Láb szám: 3 DB. Type de canal: Canal N. Vceo: 1200 V. Consommation 35 A. Ic(T-100°C): 17 A. Ic(puls): 80 A. Puissance: 298 W. VGE: 20 V. VGE(th) min.: 6 V. VGE(th)

 
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Transistor HGTG12N60A4D
HGTG12N60A4D
16.63€ TTC
3 En stock
3 En stock

Transistor IGBT N 600V 54A. Boîtier: TO-247AC. Marquage boîtier: 12N60A4D. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 54A. Puissance: 167W. VGES: 20V. Vce(sat): 2V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

 
 
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Transistor HGTG12N60C3D
HGTG12N60C3D
15.06€ TTC
43 En stock
43 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 24A. Puissance: 104W. Vce(sat): 1.65V. Boîtier: TO-247(AC). Icp:96A. t(on): 14ns. t(off): 270ns

 
 
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Transistor HGTG20N60A4
HGTG20N60A4
17.30€ TTC
1 En stock
1 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 70A. Puissance: 290W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247(AC. t(on): 15ns. t(off): 73ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor HGTG20N60A4D
HGTG20N60A4D
20.27€ TTC
17 En stock
17 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 70A. Puissance: 290W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247(AC). t(on): 15ns. t(off): 73ns

 
 
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Transistor HGTG20N60B3
HGTG20N60B3
17.81€ TTC
126 En stock
126 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 40A. Puissance: 165W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247(AC). t(on): 25ns. t(off): 220ns

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor HGTG20N60B3D
HGTG20N60B3D
19.21€ TTC
1 En stock
1 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 40A. Puissance: 165W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247(AC). t(on): 25ns. t(off): 220ns

 
 
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Transistor HGTG30N60A4
HGTG30N60A4
20.27€ TTC
12 En stock
12 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 463W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247(AC). td(On): 25ns. td(Off): 150ns (25°C)

 
 
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Transistor HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D
30.02€ TTC
66 En stock
66 En stock

Transistor IGBT N 600V 75A. Boîtier: TO-247AC. Marquage boîtier: 30N60A4D. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 463W. VGES: 20V. Vce(sat): 1.8V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

 
 
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Transistor HGTG30N60B3D
HGTG30N60B3D
29.79€ TTC
21 En stock
21 En stock

Transistor IGBT N 600V 60A. Puissance: 208W. Vce(sat): 1.45V. Boîtier: TO-247AC.

 
 
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Transistor HGTG40N60A4
HGTG40N60A4
49.11€ TTC
25 En stock
25 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 625W. Vce(sat): 1.7V. Boîtier: TO-247(AC). td(On): 25ns. td(Off): 145ns

 
 
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Transistor HGTG40N60B3
HGTG40N60B3
35.22€ TTC
30 En stock
30 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 70A. Puissance: 290W. Vce(sat): 1.4V. Boîtier: TO-247(AC). td(On): 47ns. td(Off): 170ns

 
 
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Transistor IGBT canal-N HGTG5N120BND
HGTG5N120BND
17.02€ TTC
79 En stock
79 En stock

Transistor IGBT canal-N 1200V 21A/80Ap 167W Vce(sat) : 2.45V

 
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Circuit intégré HIN202CBNZ
HIN202CBNZ
4.20€ TTC
11 En stock
11 En stock

Circuit intégré HIN202CBNZ. 2 x SINGLE-ENDED RS232 TRANSCEIVER. Constructeur: INTERSIL. Code constructeur: HIN202CBNZ. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-16 (4x10mm). Vcc (op): 6V. Plage de température de fonctionnement: 0°C à +70°C. 120kbps 1 Transmitter Switching. +/-10V Transmitter outputs 3kohm to Ground

 
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Circuit intégré HIN202CBZ
HIN202CBZ
3.98€ TTC
28 En stock
28 En stock

Circuit intégré HIN202CBZ. 2 x SINGLE-ENDED RS232 TRANSCEIVER. Constructeur: INTERSIL. Code constructeur: HIN202CBZ. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-16 Wide (7.5x10.3mm). Vcc (op): 6V. Plage de température de fonctionnement: 0°C à +70°C. 120kbps 1 Transmitter Switching. +/-10V Transmitter outputs 3kohm to Ground

 
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Circuit intégré HIN202CP
HIN202CP
4.82€ TTC
4 En stock
4 En stock

Circuit intégré HIN202CP. 2xSINGLE-ENDED RS232TRANSCEIVE. Boîtier: DIP-16. Constructeur: INTERSIL. HIN202CPZ

 
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Circuit intégré HIN202ECBNZ
HIN202ECBNZ
5.38€ TTC
43 En stock
43 En stock

Circuit intégré HIN202ECBNZ. 2 x SINGLE-ENDED RS232 TRANSCEIVER. Constructeur: INTERSIL. Code constructeur: HIN202ECBNZ. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: SO-16 (4x10mm). Vcc (op): 6V. Plage de température de fonctionnement: 0°C à +70°C. 230kbps 1 Transmitter Switching. +/-10V Transmitter outputs 3kohm to Ground. High

 
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Circuit intégré HIP4080AIBZ
HIP4080AIBZ
22.01€ TTC
5 En stock
5 En stock

Circuit intégré HIP4080AIBZ. FULL BRIDGE DRIVER 80V 2.5A. Boîtier: SO-20. N-Ch FET driver. 2.5A Peak. High Frequency Full Bridge FET Driver. Constructeur: INTERSIL.

 
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Circuit intégré HIP4080AIPZ
HIP4080AIPZ
22.96€ TTC
8 En stock
8 En stock

Circuit intégré HIP4080AIPZ. FULL BRIDGE DRIVER 80V 2.5A 20p. Boîtier: DIP-20. N-Ch FET driver. 2.5A Peak. High Frequency Full Bridge FET Driver. Constructeur: INTERSIL.

 
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Circuit intégré HIP4081AIBZ
HIP4081AIBZ
30.97€ TTC
6 En stock
6 En stock

Circuit intégré HIP4081AIBZ. Full-bridge driver 80V 2.5A. Boîtier: SO-20. N-Ch FET driver. 2.5A Peak. High Frequency Full Bridge FET Driver. Constructeur: INTERSIL.

 
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